Аналоги этого транзистора можно посмотреть ниже.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
| Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
| 60W | 400V | 200V | 6V | 7A | 150°C | 5MHz | - | 5MIN |
Производитель: STE
Сфера применения: RF, Power, High Voltage
| Общий вид транзистора BU408. | Цоколевка транзистора BU408. |
|
|
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Информация об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора BU408 .
Заменять транзистор его аналогом следует в крайнем случае, с учетом его конкретной схемы применения и режима работы.
Можно попробовать заменить транзистор BU408
транзистором 2SC2503;
транзистором 2SC2504;
транзистором BU104P;
транзистором BU406;
транзистором 2SC3175;
транзистором 2SD823;
Отправка Новой почтой и Укрпоштой.