Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Pc max Ucb max Uce max Ueb max Ic max Tj max, °C Ft max Hfe 60W 100V - 5V 8A 150°C - - 750MIN Производитель: TESLA Отправка Новой почтой, Деливери, Ин-тайм, Укрпочтой