Потужний біполярний кремнієвий транзистор 2SD2012 (на корпусі нанесено скорочене маркування D2012) від компанії Toshiba Semiconductor.

Ключові технічні характеристики

Тип провідності: NPN

Максимальна напруга колектор-емітер: 60 В

Максимальний постійний струм колектора: 3 А

Потужність розсіювання з радіатором: 25 Вт

Коефіцієнт підсилення за струмом (\(h_{FE}\)): від 100 до 320

Перевірений.

Передоплата. Відправлення будь-яким перевізником. Пакування безкоштовно.

Дивіться й інші лоти продавця.