В робочому стані.

ВІдправка тільки новою поштою.

  Наименование: IRG4PC50UD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 200
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 55
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 25
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 250
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 180   
   Тип корпуса: TO247AC