Відправка Нова пошта.

Обозначение типа: GT25Q101
   Тип: IGBT
   Тип канала IGBT: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), Вт: 200
   Максимальное напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, В: 1200
   Максимальное напряжение затвор-эмиттер |Vge|, В: 20
   Максимальный ток коллектора |Ic| при 25℃, А: 25
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер |Vce(sat)|, тип., В: 3
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания (tr), тип., нС: 200   
   Пакет: TO264