AOD482 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: AOD482
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

Результаты подбора MOSFET (поиска аналога)

↓ Type	Code	Pol N	Struct MOSFET	Pd 100W	Uds 100V	Ugs	Ugs(th) 2.7V	Ugs(off)	Id 32A	Tj	Qg	Tr	Cd	Rds 0.037Ω	Caps TO252
AOD482		N	MOSFET	100	100	20	2.7		32	175		7	100	0.037	TO‑252
AUIRLR3110Z	AULR3110Z	N	MOSFET	140	100	16	2.5		63	175	34	110	310	0.014	DPAK
BLP038N10GL‑D		N	MOSFET	156.2	100	20	2.5		120	150	109	108	1242	0.0038	TO‑252
BLP065N10GL‑D		N	MOSFET	104	100	20	2.5		60	150	65	36	720	0.0065	TO‑252
BUK9230‑100B		N	MOSFET	167	100	15	2		47	185	33			0.028	DPAK
CRSD082N10L2		N	MOSFET	101	100	20	2.2		78	150	44.5	62	457	0.0086	TO252
FDD3672F085		N	MOSFET	144	100	20			44	175	24			0.028	TO252 DPAK
HGD077N10SL	GD077N10SL	N	MOSFET	150	100	20	2.4		70	175	49	5	270	0.0077	TO‑252
HGD080N10AL	GD080N10AL	N	MOSFET	125	100	20	2.4		70	150	32	4	348	0.008	TO‑252
HGD093N12SL	GD093N12SL	N	MOSFET	143	120	20	2.4		81	175	18	7	329	0.0093	TO‑252
HGD100N12SL	GD100N12SL	N	MOSFET	188	120	20	2.4		70	175	66	21	242	0.01	TO‑252
HGD110N10SL	GD110N10SL	N	MOSFET	125	100	20	2.4		70	175	29	3	162	0.011	TO‑252
HGD120N10AL	GD120N10AL	N	MOSFET	100	100	20	2.4		60	175	21	3	200	0.0125	TO‑252
HGD130N12SL	GD130N12SL	N	MOSFET	136	120	20	2.4		68	175	31	9	222	0.0125	TO‑252
HGD210N12SL	GD210N12SL	N	MOSFET	100	120	20	2.4		35	175	7.6	8	143	0.025	TO‑252
HM40N10KA		N	MOSFET	140	100	20	1.5		40	175	94	11	290	0.017	TO252
HMS35N10K		N	MOSFET	125	100	20	2.5		35	175	65	10	354	0.023	TO252
HMS80N10KA		N	MOSFET	125	100	20	2.2		80	175	65	10	354	0.0085	TO252
HRLD150N10K		N	MOSFET	110	100	20	2.4		70	175	80	30	290	0.015	DPAK
HSU0048		N	MOSFET	108	100	20	2.3		73	150	45	6.5	605	0.0085	TO252
IPD50N10S3L‑16	QN10L16	N	MOSFET	100	100	20	2.4		50	175	49	5	730	0.015	TO252
IPD50N12S3L‑15	QN12L15	N	MOSFET	100	120	20	2.4		50	175	44	5	730	0.015	TO252
IPD70N10S3L‑12	QN10L12	N	MOSFET	125	100	20	2.4		70	175	59	6	950	0.0115	TO252
IPD70N12S3L‑12	QN12L12	N	MOSFET	125	120	20	2.4		70	175	59	6	950	0.0115	TO252
IPD90N10S4L‑06	4N10L06	N	MOSFET	136	100	16	2.1		90	175	75	6	1620	0.0066	TO252
IRLR3110Z		N	MOSFET	140	100	16	2.5		63	175	34	110	310	0.014	DPAK
IRLR3110ZPBF		N	MOSFET	140	100	16	2.5		42	175	34	110	310	0.014	TO252
MTN2510J3		N	MOSFET	130	100	20	1.4		50	175	24	100	218	0.019	TO‑252
MTN2510LJ3		N	MOSFET	130	100	20	1.4		50	175	24	100	218	0.019	TO‑252
MTN2572J3		N	MOSFET	125	150	30	1.4		36	175	30	12	225	0.033	TO‑252
MTN9240J3		N	MOSFET	115	100	20	1.4		33	175	21	34	114	0.036	TO‑252
NCE0140AK2		N	MOSFET	140	100	20	1.6		40	175	119	11	176	0.018	TO252
NCE0140KA		N	MOSFET	140	100	20	1.5		40	175	94	11	290	0.017	TO252
NCE0157AK		N	MOSFET	170	100	20	1.8		57	175	111	55	210	0.016	TO252
NCEAP0178AK		N	MOSFET	125	100	20	2.2		78	175	65	10	354	0.012	TO‑252
NCEP0178AK		N	MOSFET	125	100	20	2.2		78	175	65	10	354	0.0085	TO252
NCEP065N10AK		N	MOSFET	115	100	20	2.2		85	175	83	10.5	360	0.009	TO‑252
NCEP068N10AK		N	MOSFET	125	100	20	2.4		80	175	76	6	316	0.0068	TO252
NCEP078N10AK		N	MOSFET	100	100	20	2.2		75	175	70	11	315	0.0115	TO‑252
NCEP10N12AK		N	MOSFET	120	120	20	2.5		65	175	70.8	15	234	0.012	TO‑252
NCEP11N10AK		N	MOSFET	115	100	20	2.5		55	175	42	18	180	0.017	TO‑252
NCEP1250AK		N	MOSFET	105	120	20	2.2		50	175	45	7	274	0.0139	TO‑252
NCEP1290AK		N	MOSFET	160	120	20	2.4		90	175	75.5	70	377	0.0095	TO‑252
NCEP25N10AK		N	MOSFET	105	100	20	2.5		35	175	27.6	15	123.9	0.025	TO252
NP36N10SDE		N	MOSFET	142	100	20	2.5		36	175	72	10	230	0.033	TO‑252
NP40N10VDF		N	MOSFET	120	100	20	2.5		40	175	47	16	200	0.026	TO‑252
SFG10R10DF	SFG10R10D	N	MOSFET	125	100	20	2.5		70	150	49.9	5	361	0.01	TO252
SFG10R12DF	SFG10R12D	N	MOSFET	125	100	20	2.5		60	150	49.9	5	359.3	0.012	TO252
SFG10S08DF	SFG10S08D	N	MOSFET	120	100	20	2.5		75	150	33.9	4	1191	0.008	TO252
SFG10S10DF	SFG10S10D	N	MOSFET	107	100	20	2.5		60	150	28.9	5.2	322	0.01	TO252
SFG10S12DF	SFG10S12D	N	MOSFET	115	100	20	2.5		55	150	24.6	4	683	0.012	TO252
SFG12R12DF	SFG12R12D	N	MOSFET	140	120	20	2.5		50	150	33.1	9.7	330	0.012	TO252
SQD40N10‑25		N	MOSFET	136	100	20	2.5		40	175	46	11	312	0.025	TO‑252
SQD50N10‑8M9L		N	MOSFET	136	100	20	2.5		50	175	46	12	1441	0.0089	TO‑252
SQR40N10‑25		N	MOSFET	136	100	20	2.5		40	175	46	11	312	0.025	TO‑252
SVGQ109R5NAD	Q109R5NA	N	MOSFET	107	100	20	2.4		94	175	49	33	390	0.0095	TO252
SWD069R10VS	SW069R10VS	N	MOSFET	158.2	100	20	2.4		70	150	45	51	1590	0.0089	TO252
SWD160R12VT	SW160R12VT	N	MOSFET	125	120	20	2.3		50	150	64	41	204	0.0205	TO252
SWD200R10VT	SW200R10VT	N	MOSFET	117	100	20	2.5		36	150	86	34	165	0.023	TO252