| Производитель | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP. (FAIRCHILD) |
| Корпус | TO-3PN |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема соединения | Одиночный |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 650 V |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20 V |
| Макс. ток коллектора (25°C) | 120 А |
| Макс. ток коллектора (100°C) | 60 А |
| Макс. постоянный ток диода (25°С) | 60 А |
| Макс. постоянный ток диода (100°С) | 30 А |
| Время восстановления диода (25°С/tmax) | 47 / 212 нс |
| Мощность рассеяния при 25°C | 600 Вт |
НОВІ, оригінальні