CRG40T60AN3H — це біполярний транзистор із ізольованим закривом, призначений для високоефективної комутації потужності. Він поєднує в собі високий вхідний опір МОП-транзизора з низькими втратами провідності біполярного транзизора, що робить його придатним для перетворювачів середньої та високої потужності. Пристрій належить до класу напруги 600 В і призначений для роботи з струмами в діапазоні десятків амперів, що дає змогу використовувати його в електроприводах, джерелах безперебійного живлення, зварювальному обладнанні, промислових інверторах. CRG40T60AN3H забезпечує низьку напругу насичення та швидку комутацію, знижуючи втрати потужності. IGBT-транзисстор обладнаний антипаралельним діодом, що забезпечує ефективну роботу в топологіях із жорсткою комутацією. Висока термостійкість і передбачуваний режим перемикання роблять цей пристрій придатним для надійної промислової силової електроніки.

Найменування: CRG40T60AN3H

Тип транзизора: IGBT + Diode

Маркування: G40T60AN3H

Тип керівного каналу: N

Граничні значення

Pc ⓘ - Максимальна розсіювана потужність: 280 W

|Vce|ⓘ - Гранично-допустима напруга колектор-емітер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустима напруга іміттер-закрива: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальний постійний струм колектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальна температура переходу: 150 ℃

Електричні характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напруга насичення колектор-емітер: 1.9 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Максимальна порогова напруга затвора-емітер: 7 V

tr ⓘ - Час наростання типова: 47.2 nS

Coesⓘ - Вихідна ємність, типова: 141 pF

Qg ⓘ - Загальний заряд затвора, typ: 239 nC

Тип корпусу: TO-3PN

Ціна вказана за 1 шт.