Потужний високовольтний N-канальний МОП-транзистор (MOSFET), виконаний за технологією VDMOS із фірмовою структурою F-Cell™. Він випускається в ізольованому пластиковому корпусі TO-220F. Виробник- компанія Hangzhou Silan Microelectronics.

• Максимальна напруга сток-витік (\(V_{DS}\)) : 600 В
• Максимальний струм стоку (\(I_{D}\)) : 2 А
• Струм стоку в імпульсі (\(I_{DM}\)) : 8 А
• Опір відкритого каналу (\(R_{DS(on)}\)) : ~3.7 Ом (типове при\(V_{GS}=10\)В) / до 4.2 Ом (максимальне)

Передоплата. Відправлення будь-яким перевізником. Пакування безкоштовно.

Дивіться й інші лоти продавця.