Ядер 2
Потоков 4
Базовая частота 2.53 ГГц  
Максимальная частота 534 МГц  
Тип шины DMI 1.0
Скорость шины 1 × 2.5 GT/s
Множитель 19  
Кэш 1-го уровня 64K (на ядро)  
Кэш 2-го уровня 256K (на ядро)
Кэш 3-го уровня 3 Мб (всего)  
Технологический процесс 32 нм  
Размер кристалла 81+114 мм2
Максимальная температура ядра 90 °C for rPGA, 105 °C for BGA  
Количество транзисторов 382+177 млн  
Поддержка 64 бит +
Сокет BGA1288,PGA988