• Об'єм пам'яті: 1 TB.

• Форм-фактор: M.2 (тип 2280).

• Інтерфейс: PCI Express 3.0 x4.

• Протокол: NVMe 1.4.

• Тип пам'яті: Samsung V-NAND 3-bit MLC (TLC).

• Швидкість читання: до 3500 МБ/с.

• Швидкість запису: до 3000 МБ/с.

• Ресурс перезапису (Endurance): 600 TBW.

• Особливості: Конструкція без виділеного буфера DRAM (DRAM-less), використовує технологію HMB (Host Memory Buffer)