Транзистор BU408

Основные параметры транзистора BU408 биполярного низкочастотного npn. Аналоги этого транзистора можно посмотреть ниже. Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn   Pc max Ucb max Uce max Ueb max Ic max Tj max, °C Ft max Cc tip Hfe 60W 400V 200V 6V 7A 150°C 5MHz - 5MIN Производитель: STE Сфера применения: RF, Power, High Voltage Схемы транзистора BU408 Общий вид транзистора BU408. Цоколевка транзистора BU408. Обозначение контактов: Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер. К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.     Информация об  аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора BU408  .   Заменять транзистор его аналогом следует в крайнем случае, с учетом его конкретной схемы применения и режима работы. Можно попробовать заменить    транзистором  ;  транзистором  ;  транзистором  ;  т