Потужний високовольтний N-канальний МОП-транзистор (MOSFET) , виконаний за технологією VDMOS із фірмовою структурою F-Cell™. Він випускається в ізольованому пластиковому корпусі TO-220F. Виробник- компанія Hangzhou Silan Microelectronics. Максимальна напруга сток-витік ( \ (V_{DS}\) ) : 600 В Максимальний струм стоку ( \ (I_{D}\) ) : 2 А Струм стоку в імпульсі ( \ (I_{DM}\) ) : 8 А Опір відкритого каналу ( \ (R_{DS (on) }\) ) : ~3. 7 Ом (типове при \ (V_{GS}=10\) В) / до 4. 2 Ом (максимальне) Передоплата. Відправлення будь-яким перевізником. Пакування безкоштовно. Дивіться й інші лоти продавця.
Опис товару
Доставка та оплата
| Спосіб доставки |
Спосіб оплати |
Вартість доставки |
|
Укрпошта (оплата доставки при отриманні)
|
Передоплата повної вартості лота |
Оплата доставки при отриманні за тарифом кур'єрської служби
|
|
Самовивіз
|
За домовленністю |
-
|
|
При зустрічі
|
За домовленністю |
-
|
|
Нова Пошта (оплата доставки при отриманні)
|
Передоплата повної вартості лота |
Оплата доставки при отриманні за тарифом кур'єрської служби
|
| |
| |
| Відправка за кордон |
Не проводиться |
|
Повернення товару: Повернення товару не приймається
| Стан: | Б/В |
Тех. Стан: | Справне |
| Наявність: | В наявності |
Розташування: | Чернігів |
Переглядів: 3
Покупці, які переглянули товар, також цікавляться